販売終了製品
ArF液浸スキャナー
NSR-S631E
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | SMO*1: ≦ 1.7 nm, MMO*2: ≦ 2.3 nm |
| スループット | ≧ 250 wafers/hour (96 shots), ≧ 270 wafers/hour (96 shots, optional) |
- *1Single Machine Overlay：同一号機間の重ね合わせ精度（例 NSR-S631E#1 to S631E#1）
- *2Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S631E#1 to S631E#2）
NSR-S630D
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | SMO*1: ≦ 1.7 nm, MMO*2: ≦ 2.5 nm |
| スループット | ≧ 250 wafers/hour (96 shots) |
- *1Single Machine Overlay：同一号機間の重ね合わせ精度（例 NSR-S630D#1 to S630D#1）
- *2Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S630D#1 to S630D#2）
NSR-S622D
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | SMO*1: ≦ 2 nm, MMO*2: ≦ 3.5 nm |
| スループット | ≧ 200 wafers/hour (125 shots) |
- *1Single Machine Overlay：同一号機間の重ね合わせ精度（例 NSR-S622D#1 to S622D#1）
- *2Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S622D#1 to S622D#2）
NSR-S621D
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 2 nm |
| スループット | ≧ 200 wafers/hour (125 shots) |
NSR-S620D
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 3 nm |
| スループット | ≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 125 shots) |
NSR-S610C
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| 解像度 | ≦ 45 nm |
|---|---|
| NA | 1.30 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 6.5 nm |
| スループット | ≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots) |
NSR-S609B
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| 解像度 | ≦ 55 nm |
|---|---|
| NA | 1.07 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 7 nm |
| スループット | ≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots) |
ArFスキャナー
NSR-S320F
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| 解像度 | ≦ 65 nm |
|---|---|
| NA | 0.92 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 3 nm |
| スループット | ≧ 200 wafers/hour (125 shots) |
NSR-S310F
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| 解像度 | ≦ 65 nm |
|---|---|
| NA | 0.92 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 7 nm |
| スループット | ≧ 174 wafers/hour (76 shots) |
NSR-S308F
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| 解像度 | ≦ 65 nm |
|---|---|
| NA | 0.92 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 8 nm |
NSR-S307E
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| 解像度 | ≦ 80 nm |
|---|---|
| NA | 0.85 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 12 nm |
NSR-S306C
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| 解像度 | ≦ 100 nm |
|---|---|
| NA | 0.78 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 20 nm |
NSR-S305B
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| 解像度 | ≦ 110 nm |
|---|---|
| NA | 0.68 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 30 nm |
KrFスキャナー／ステッパー
NSR-S210D
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| 解像度 | ≦ 110 nm |
|---|---|
| NA | 0.82 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 9 nm |
| スループット | ≧ 176 wafers/hour (76 shots) |
NSR-S208D
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| 解像度 | ≦ 110 nm |
|---|---|
| NA | 0.82 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 10 nm |
| スループット | ≧ 147 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots) |
NSR-S207D
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| 解像度 | ≦ 110 nm |
|---|---|
| NA | 0.82 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 10 nm |
NSR-SF200
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| 解像度 | ≦ 150 nm |
|---|---|
| NA | 0.63 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 28 nm |
| スループット | ≧ 110 wafers/hour (300 mm wafer) ≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer) |
NSR-S206D
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| 解像度 | ≦ 110 nm |
|---|---|
| NA | 0.82 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 20 nm |
NSR-S205C
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| 解像度 | ≦ 130 nm |
|---|---|
| NA | 0.75 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 30 nm |
NSR-S204B
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| 解像度 | ≦ 150 nm |
|---|---|
| NA | 0.68 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 35 nm |
NSR-S203B
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| 解像度 | ≦ 180 nm |
|---|---|
| NA | 0.68 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 40 nm |
NSR-S202A
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| 解像度 | ≦ 250 nm |
|---|---|
| NA | 0.60 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 45 nm |
NSR-2205EX14C
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| 解像度 | ≦ 250 nm |
|---|---|
| NA | 0.60 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 50 nm |
| アライメントシステム | LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional) |
NSR-2205EX12B
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| 解像度 | ≦ 280 nm |
|---|---|
| NA | 0.55 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 55 nm |
| アライメントシステム | LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional) |
NSR-S201A
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| 解像度 | ≦ 250 nm |
|---|---|
| NA | 0.60 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 50 nm |
NSR-2205EX10B
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| 解像度 | ≦ 320 nm |
|---|---|
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 80 nm |
i線ステッパー
NSR-2205i14E2
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| 解像度 | ≦ 350 nm |
|---|---|
| NA | 0.63 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 40 nm |
| スループット | ≧ 103 wafers/hour (200 mm wafer) |
NSR-SF150
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| 解像度 | ≦ 280 nm |
|---|---|
| NA | 0.62 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 25 nm |
| スループット | ≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots) |
NSR-SF140
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| 解像度 | ≦ 280 nm |
|---|---|
| NA | 0.62 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 35 nm |
| スループット | ≧ 117 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots) |
NSR-SF130
横にスクロールしてご覧ください。
| 解像度 | ≦ 280 nm |
|---|---|
| NA | 0.62 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 35 nm |
| スループット | ≧ 120 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer) |
NSR-SF120
横にスクロールしてご覧ください。
| 解像度 | ≦ 280 nm |
|---|---|
| NA | 0.62 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 35 nm |
| スループット | ≧ 100 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer) |
NSR-SF100
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| 解像度 | ≦ 400 nm |
|---|---|
| NA | 0.52 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 25 × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 45 nm |
| スループット | ≧ 80 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer) |
NSR-2205i12D
横にスクロールしてご覧ください。
| 解像度 | ≦ 350 nm |
|---|---|
| NA | 0.63 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm (6-inch reticle), 20.0 × 20.4 mm (5-inch reticle) |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 55 nm |
NSR-TFHi12
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| 解像度 | ≦ 500 nm |
|---|---|
| NA | 0.30 ~ 0.45 (variable) |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 55 nm |
NSR-2205i14E
横にスクロールしてご覧ください。
| 解像度 | ≦ 350 nm |
|---|---|
| NA | 0.63 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 50 nm |
| アライメントシステム | LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional) |
NSR-4425i
横にスクロールしてご覧ください。
| 解像度 | ≦ 700 nm |
|---|---|
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:2.5 |
| 最大露光範囲 | 44 mm square |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 100 nm |
NSR-2205i11D
横にスクロールしてご覧ください。
| 解像度 | ≦ 350 nm |
|---|---|
| NA | 0.63 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm |
| 重ね合わせ精度（EGA, |M| + 3σ） | ≦ 70 nm |
| アライメントシステム | LSA (standard), FIA (optional), LIA (optional) |