半導体装置事業の歩み

1910年代
  • 東京計器製作所の光学部門と岩城硝子製造所の反射鏡部門を統合、三菱合資会社社長、岩崎小彌太氏の出資をもって日本光学工業（株）を設立（1917年）
  • 大井工場（現 大井製作所）、完成（1918年）
  • 光学ガラスの製造研究に着手（1918年）
1920年代
  • 技術指導のためドイツ人技師8名を招聘（1921年）
1940年代
  • 東京および大阪証券取引所に株式上場（1949年）
1960年代
  • 大井製作所大船工場（現 横浜製作所）を新設（1967年）
  • （株）橘製作所（1977年（株）水戸ニコン、2007年（株）水戸ニコンプレシジョンに社名変更、2010年に解散）を設立（1968年）
  • ルーリングエンジン1号機を納品（1964年）
1970年代
  • SR-1号機の開発に着手（超エル・エス・アイ技術研究組合からの委託）（1976年）
  • SR-1号機、完成（1978年）
  • （株）ニッコーエンジニアリング（現 （株）ニコンエンジニアリング）を設立（1978年）
1980年（昭和55年）
  • 国産初のステッパー、NSR-1010Gを発表、出荷開始（解像度1.0 μm=1,000 nm）
NSR-1010G
1981年（昭和56年）
  • （株）蔵王ニコン（現 （株）宮城ニコンプレシジョン）を設立
  • NSR-1505G（解像度1,200 nm）
1982年（昭和57年）
  • 米国にNikon Precision Inc.（略称NPI）を設立
  • 横浜製作所内に超LSI製造装置（露光装置）専用工場、完成
  • 米国へ露光装置を初出荷
  • ウェハ検査顕微鏡装置 オプチステーション
オプチステーション
1983年（昭和58年）
  • 横浜製作所内にステッパー専用工場の生産スペースを拡張
1984年（昭和59年）
  • 熊谷製作所を新設
  • NSR-1505G2A（解像度1,000 nm）
  • 世界初のi線ステッパー、NSR-1010i2（解像度800 nm）
1985年（昭和60年）
  • NSR-HT3025G（解像度2,000 nm）
1987年（昭和62年）
  • （株）ニコンテックを設立
  • NSR-1505G4B（解像度900 nm）
  • SX-5（解像度500 nm）
  • 半導体露光装置の販売台数が1,000台を達成
1988年（昭和63年）
  • 「株式会社ニコン」に社名変更
  • 西ドイツ（現 ドイツ）にNikon Precision Europe GmbH（略称NPE）を設立
  • 世界初のエキシマステッパー、NSR-1505EX（解像度500 nm）
  • NSR-1505G6E（解像度650 nm）
1989年（平成元年）
  • 熊谷製作所、第二期工事を竣工
  • NSR-1505i6A（解像度650 nm）
  • 半導体露光装置の販売台数が2,000台を達成
  • NSR-1755G7A（解像度650 nm）
1990年（平成2年）
  • 韓国にNikon Precision Korea Ltd.（略称NPK）を設立
  • 米国カリフォルニア州ベルモントにNPI新社屋、完成
  • 熊谷製作所、第三期工事を竣工
  • NSR-2005G8C（解像度550 nm）
1991年（平成3年）
  • 栃木ニコン、露光装置用レンズ生産用の新棟竣工
  • NSR-1755EX8A（解像度450 nm）
  • 重ね合わせ測定機 NRM-1
NRM-1
1992年（平成4年）
  • 熊谷製作所、第四期（6号館）工事を竣工
  • 半導体露光装置の販売台数が3,000台を達成
1993年（平成5年）
  • ドイツ・ランゲンにNPE新社屋、完成
  • 膜磁気ヘッド用半導体露光装置 NSR-TFH1
  • NSR-2005i10C（解像度450 nm）
1994年（平成6年）
  • NSR-4425i（解像度700 nm）
  • NSR-2205i11D（解像度≦ 350 nm）
1995年（平成7年）
  • 台湾にNikon Precision Taiwan Ltd. を設立
  • 半導体露光装置の販売台数が4,000台を達成
  • 世界初のKrFスキャナー、NSR-S201A（解像度≦ 250 nm）
NSR-S201A
  • ミニステッパー PrA
1996年（平成8年）
  • 米国にNikon Research Corporation of America を設立
  • NSR-2205EX12B（解像度≦ 280 nm）
  • NSR-2205i12D（解像度≦ 350 nm）
  • 半導体露光装置の販売台数が5,000台を達成
  • ウェハ外観検査装置 OPTISTATION-V
1997年（平成9年）
  • NPE、スコットランドにトレーニングセンターを設立
  • NSR-2205EX14C（解像度≦ 250 nm）
  • NSR-2205i14E（解像度≦ 350 nm）
  • 固体撮像装置用照明装置 N-SIS
1998年（平成10年）
  • 熊谷製作所、第五期（7号館）工事を竣工
  • EB（電子ビーム）露光装置の電子光学系の実証実験に成功
  • NSR-S203B（解像度≦ 180 nm）
1999年（平成11年）
  • 世界初のArFドライスキャナー、NSR-S302A（解像度≦ 180 nm）
  • NSR-SF100（解像度≦ 400 nm）
  • NSR-S204B（解像度≦ 150 nm）
  • NSR-2205i14E2（解像度≦ 350 nm）
  • NSR-S305B（解像度≦ 110 nm）
  • 半導体露光装置の販売台数が6,000台を達成
  • 固体撮像装置用照明装置 N-SISⅡ
2000年（平成12年）
  • シンガポールにNikon Precision Singapore Pte Ltd（2013年、Nikon Singapore Pte. Ltd. に吸収合併）を設立
  • 栃木ニコン、クリーンルームを増床
  • NSR-S205C（解像度≦ 130 nm）
NSR-S205C
2001年（平成13年）
  • NSR-S306C（解像度≦ 100 nm）
  • 重ね合わせ測定機 NRM-1000A/3000
  • 自動マクロ検査装置 AMI-2000
AMI-2000
  • ウェハ外観検査装置 OPTISTATION-3100
OPTISTATION-3100
2002年（平成14年）
  • 中国にNikon Precision Shanghai Co., Ltd. を設立
  • 半導体露光装置の販売台数が7,000台を達成
  • NSR-S206D（解像度≦ 110 nm）
  • 重ね合わせ測定機 NRM-3100
  • 自動マクロ検査装置 AMI-3000
  • 固体撮像装置用照明装置 N-SISⅢ
2003年（平成15年）
  • NSR-S307E（解像度≦ 80 nm）
  • NSR-SF130（解像度≦ 280 nm）
  • ウェハ外観検査装置 OPTISTATION-3200
OPTISTATION-3200
  • ミニステッパー PrAⅡ
PrAⅡ
2004年（平成16年）
  • NSR-S308F（解像度≦ 65 nm）
  • NSR-S208D（解像度≦ 110 nm）
  • 半導体露光装置用偏光照明 POLANOを販売開始
2005年（平成17年）
  • 世界初NA 1.0の壁を破るNA 1.07の量産用ArF液浸スキャナー、NSR-S609B（解像度≦ 55 nm）
  • NSR-SF140（解像度≦ 280 nm）
  • 半導体露光装置の販売台数が8,000台を達成
  • 固体撮像装置用照明装置 N-SISⅤ
2006年（平成18年）
  • NSR-S610C（解像度≦ 45 nm）
  • NSR-SF155（解像度≦ 280 nm）
NSR-SF155
  • ウェハ外観検査装置 OPTISTATION-3000
OPTISTATION-3000
2007年（平成19年）
  • （株）栃木ニコンプレシジョンを設立
  • NSR-S310F（解像度≦ 65 nm）
  • NSR-S210D（解像度≦ 110 nm）
NSR-S310F
2008年（平成20年）
  • （株）仙台ニコンプレシジョン（2009年、（株）宮城ニコンプレシジョンに吸収合併）を設立
  • Streamlign Platform搭載ArF液浸スキャナー、NSR-S620D（解像度≦ 38 nm）
NSR-S620D
2009年（平成21年）
  • （株）水戸ニコンプレシジョンを（株）栃木ニコンプレシジョンに吸収合併
  • （株）仙台ニコンプレシジョンを（株）宮城ニコンプレシジョン（旧 蔵王ニコン）に吸収合併
  • ミニステッパー NES1-h04
2011年（平成23年）
  • Streamlign Platform搭載ArFドライスキャナー、NSR-S320F（解像度≦ 65 nm）
  • 自動マクロ検査装置 AMI-3500
2012年（平成24年）
  • NSR-S621D（解像度≦ 38 nm）
  • 自動マクロ検査装置 AMI-3000 MARKⅡ
2013年（平成25年）
  • Nikon Precision Singapore Pte Ltd をNikon Singapore Pte. Ltd. に吸収合併
  • NSR-S622D（解像度≦ 38 nm）
2014年（平成26年）
  • 本社を品川インターシティに移転（東京都港区港南）
  • NSR-S630D（解像度≦ 38 nm）
  • NSR-S322F（解像度≦ 65 nm）
NSR-S322F
  • ミニステッパー NES1W-ih06/i06
  • ミニステッパー NES2W-ih06/i06
NES2W-ih06/i06
2015年（平成27年）
  • G450Cにて450 mmウェハ対応ArF液浸スキャナー、NSR-S650D、パターニング開始
NSR-S650D
  • イメージセンサー検査用照明装置 N-SIS8
N-SIS8
2016年（平成28年）
  • NSR-S631E（解像度≦ 38 nm）
NSR-S631E
  • NSR-S220D（解像度≦ 110 nm）
NSR-S220D
  • ミニステッパー NES2W-i10
2017年（平成29年）
  • 自動マクロ検査装置 AMI-5600
AMI-5600
2018年（平成30年）
  • Litho Booster
Litho Booster
  • NSR-S635E（解像度≦ 38 nm）
NSR-S635E
2019年（令和元年）
  • イメージセンサー検査用照明装置 N-SIS9
N-SIS9
2021年（令和3年）
  • 自動マクロ検査装置 AMI-5700
AMI-5700
2023年（令和5年）
  • Nikon Instruments (Shanghai) Co., Ltd.をNikon Precision Shanghai Co., Ltd.に吸収合併、Nikon Precision (Shanghai) Co., Ltd.に社名変更
  • マレーシアにNikon Precision Malaysia Sdn. Bhd.を設立
  • NSR-S625E（解像度≦ 38 nm）
NSR-S625E
  • NSR-2205iL1（解像度≦ 350 nm）
NSR-2205iL1
  • NSR-S636E（解像度≦ 38 nm）
NSR-S636E