製品紹介
露光装置
ArF液浸スキャナー
NSR-S636E
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 2.1 nm (MMO*1) |
| スループット | ≧ 280 wafers/hour (96 shots) |
- *1Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S636E#1 to S636E#2）
NSR-S635E
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 2.1 nm (MMO*1) |
| スループット | ≧ 275 wafers/hour (96 shots) |
- *1Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S635E#1 to S635E#2）
NSR-S625E
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| 解像度 | ≦ 38 nm |
|---|---|
| NA | 1.35 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 2.5 nm (MMO*1) |
| スループット | ≧ 280 wafers/hour (96 shots) |
- *1Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S625E#1 to S625E#2）
ArFスキャナー
NSR-S322F
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| 解像度 | ≦ 65 nm |
|---|---|
| NA | 0.92 |
| 露光光源 | ArF excimer laser (193 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 5 nm (MMO*1) |
| スループット | ≧ 230 wafers/hour (96 shots), ≧ 250 wafers/hour (96 shots)*2 |
- *1Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S322F#1 to S322F#2）
- *2オプション適用時
KrFスキャナー
NSR-S220D
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| 解像度 | ≦ 110 nm |
|---|---|
| NA | 0.82 |
| 露光光源 | KrF excimer laser (248 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 6 nm (MMO*1) |
| スループット | ≧ 230 wafers/hour (96 shots) |
- *1Mix and Match Overlay：同一機種間の重ね合わせ精度（例 NSR-S220D#1 to S220D#2）
i線ステッパー
NSR-SF155
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| 解像度 | ≦ 280 nm |
|---|---|
| NA | 0.62 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:4 |
| 最大露光範囲 | 26 mm × 33 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 25 nm (SMO*1) |
| スループット | ≧ 200 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shot), 200 mm wafer 対応可 |
- *1Single Machine Overlay：同一号機間の重ね合わせ精度
縮小投影倍率5倍 i線ステッパー
NSR-2205iL1
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| 解像度 | ≦ 350 nm*1 |
|---|---|
| NA | 0.45 |
| 露光光源 | i-line (365 nm wavelength) |
| 縮小倍率 | 1:5 |
| 最大露光範囲 | 22 mm × 22 mm |
| 重ね合わせ精度 | ≦ 70 nm*1 (SMO*2) |
- *1オプション適用時
- *2Single Machine Overlay：同一号機間の重ね合わせ精度
アライメントステーション
Litho Booster
半導体露光装置の分野で培ったニコン独自の技術を活用した高機能アライメントステーションです。露光前の全てのウェハに対して、高速かつ高精度にグリッド歪みの絶対値を計測。補正値を露光装置にフィードフォワードすることで、スループットを落とさずに重ね合わせ精度を大幅に高め、お客様製品の歩留まりや設備投資効率の向上に寄与します。
計測・検査装置
自動マクロ検査装置
AMI-5700
高スループットと卓越した検出感度を共に実現する自動マクロ検査装置です。従来機からさらなる高感度化と高精度化を図り、ウェハ全面の一括撮像による高速検査に加えて、高速計測も実現。1台で検査と計測が行える革新的な装置です。
ウェハ外観検査装置
OPTISTATION-3200/3100/3000
簡単かつ迅速な300 mmウェハの目視検査が可能なウェハ外観検査装置です。インライン検査システムおよびR&D欠陥解析の解析ツールとして、生産性の飛躍的な向上に貢献します。
イメージセンサー検査用照明装置
N-SIS9/8
ニコン独自の技術を活用したイメージセンサーの検査用照明装置です。広い照野を高照度で均一に照明し、照度やRGBなどの分光の設定を高速に実現します。
本ページに掲載したすべての製品および製品の技術（ソフトウェアを含む）は「外国為替および外国貿易法」に定める規制貨物等（特定技術を含む）に該当します。輸出する場合には政府許可取得等適正な手続きをお取りください。（半導体検査装置を除く）